《表1 铁电存储器、EEPROM、FLASH三种存储器性能比较》
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F-RAM是通过铁电这种特殊材料作为存储介质，其具有高可靠性，数据保持时间为100年，完全随机不需要写等待的高读写效率，SPI接口速率最高可以支持到50Mhz或108MHz QSPI，并且具有非常低的功耗；由于其特殊的铁电材质，所以该类型存储器的擦写次数可以高达100亿次。如表1所示:
| 图表编号 | XD0057449600 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.05.08 |
| 作者 | 赛普拉斯半导体公司 |
| 绘制单位 | 赛普拉斯半导体公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
