《表1 软件环境：基于阿伦尼斯模型的Flash存储器数据保持能力研究》

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《基于阿伦尼斯模型的Flash存储器数据保持能力研究》

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由于Flash存储器的数据保持能力与其工艺结构单元相关，基于应用需求现状，选取2款产品（ETOX结构/65nm NOR Flash工艺、ETOX结构/0.13μm NOR Flash工艺）作为研究对象，器件信息见表1。