《表1 FLASH存储芯片典型参数》

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《一种多重触发式炮口冲击波存储测试系统设计》

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负延时数据，即在触发信号来临之前系统尚处于未触发状态时所记录的信号数据，一般为系统基线。正向数据，即系统触发之后记录的包括完整冲击波信号在内的全部数据。与正向数据不同，负延时数据在写入FLASH时需采取边擦除、边写入的循环存储策略。而FLASH存储器受限于其特殊的存储结构，只能按页写入、按块擦除，这就对处于负延时存储阶段的数据写入速率有着严格的要求，必须保证该阶段的数据写入速率大于或等于AD的采样速率，才可以确保存入FLASH中的数据是完整、可靠的。决定负延时数据写入速率的因素主要包括FLASH存储器的页编程、块擦除时间以及系统的工作时钟。本文所选用FLASH存储器的典型参数如表1所示，其中系统工作时钟为40 MHz。