《表1 比较DRAM,PCM,NAND Flash和HDD[14]》

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《持久化内存文件系统的磨损攻击与防御机制》

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目前，处理器和存储系统之间的数据I/O是极为严重的性能瓶颈，导致计算机系统无法应对上层应用的强时效性和高可靠等存储服务需求.新型非易失性存储器（non-volatile memory，简称NVM），如相变存储器（phase change memory，简称PCM）[1-4]和3D Xpoint[5]等，具有非易失性、低延迟、存储密度高、抗震性好、低功耗和可按字节寻址等优点.表1中PCM的存储密度是DRAM的2倍～4倍，读写延迟比NAND Flash低3个和2个数量级，比HDD分别低5个和3个数量级.鉴于NVM的优良特性，取得了学术界和工业界的广泛关注，被视为潜力巨大的新一代存储设备.NVM给现有的存储系统的发展带来了新的机遇，NVM既可以作为内存，也可以作为外存[3，6，7].近年出现诸多利用NVM作为内存的新型持久化内存文件系统，例如BPFS[8]，PMFS[9]，NOVA[10]，SIMFS[11]，SCMFS[12]和HiNFS[13]等.这类持久化内存文件系统充分发挥NVM的低延迟、可按字节寻址等优点，优化文件系统的I/O栈，使得文件访问吞吐率达到GB/s级.