《表2 时间和电流参数：面向物联网应用的DRAM与STT-MRAM异构内存系统》

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《面向物联网应用的DRAM与STT-MRAM异构内存系统》

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文中参考Micron提供的内存功耗计算方法及程序运行时间对内存能耗进行计算。其中，内存动态能耗主要包括激活-预充能耗、读能耗和写功耗，内存静态能耗主要包括刷新能耗。硬件仿真平台中使用到的时间参数与计算能耗时用到的电流参数均来自EVERSPIN和Micron芯片手册，如表2所示。