《表2 研磨条件:研磨液悬浮性对SiC晶片加工质量影响的研究》
一次各研磨30片,分别使用研磨液1和研磨液2进行研磨,其他研磨条件相同,如表2所示。
图表编号 | XD00149353400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.20 |
作者 | 张海磊 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
一次各研磨30片,分别使用研磨液1和研磨液2进行研磨,其他研磨条件相同,如表2所示。
图表编号 | XD00149353400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.20 |
作者 | 张海磊 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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