《表2 在EOX为4 MV·cm-1下3个试样的TZDB实验结果》

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《基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能》

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从图7可见，除了个别早期失效（较低击穿电场强度）外，试样A、B和C均显现出较好的Weibull统计分布，其Weibull斜率为20～30，符合实验预期。此外，由图7可以看到，从Weibull统计上看，试样B具有最高的栅介质击穿电场强度，其特征栅介质击穿电场强度可以达到9 MV·cm-1，而试样A和C的特征栅介质击穿电场强度均比试样B的低，分别为8.76和7.85 MV·cm-1。说明试样B也具有较为出色的介电性能和可靠性。试样A、B和C的TDZB实验结果如表2所示。