《表1 试样A、B和C的高-低频C-V实验结果》
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《基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能》
根据对高-低频C-V特性及得到的界面态密度分布的分析，可以得到3个试样的VFB、位于导带边（EC-ET=0.2 eV）的界面态密度以及AlON的相对介电常数εr等参数，如表1所示。
| 图表编号 | XD00145030900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.09.15 |
| 作者 | 夏经华、桑玲、查祎英、杨霏、吴军民、王世海、万彩萍、许恒宇 |
| 绘制单位 | 先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、先进输电技术国家重点实验室、全球能源互联网研究院有限公司、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
