《表3 研发投入规模对研发背景高管与高技术企业成长性关系的中介效应检验结果》

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《研发背景高管、职业成长路径与高技术企业成长性研究》

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注:*为在10%水平上显著，下同。

在模型1和模型4的基础上，表3模型7同时将研发背景高管和研发投入规模作为解释变量纳入回归模型，Aca和R&D的系数均显著为正，即研发投入规模对研发背景高管与企业成长性之间关系存在部分中介效应，证明大规模研发投入是这类高管能够提升高技术企业成长性的机理之一，H2b得到验证。根据同样的方法，模型9中Aca和R&D的系数均显著为正，证实这一现象在创业板上市企业更为显著，但是在模型8主板上市企业中并不显著。可能的原因是主板上市企业与创业板上市企业所处阶段不同，其核心技术类型和企业成长对技术的依赖程度有所差异。创业板企业尚处于起步阶段，其未来发展与相对单一的核心技术密切相关，并且这种核心技术一般较为前沿，早一步取得研发成果意味着可能在行业内占据明显的市场优势，因此创业板企业往往出现孤注一掷的粗放式研发行为，以大规模研发投入赢得先机。而主板企业处于生命周期较为成熟的阶段，影响其成长的因素更为复杂，在开展研发活动的同时也要考虑成本控制和盈利模式等问题，更适合采用集约式创新的模式，所以单纯增加研发投入规模对企业成长性的影响并不突出。