《表1 两组半导体激光器制备使用技术对比》
将使用原有Au Sn热沉技术制备的大功率半导体激光器与使用新设计Au Sn结构热沉技术制备的大功率半导体激光器分为A,B两组进行寿命考核实验,如表1所示。
图表编号 | XD00124805600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.12.10 |
作者 | 芦鹏、刘国军 |
绘制单位 | 常州工学院光电工程学院、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
将使用原有Au Sn热沉技术制备的大功率半导体激光器与使用新设计Au Sn结构热沉技术制备的大功率半导体激光器分为A,B两组进行寿命考核实验,如表1所示。
图表编号 | XD00124805600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.10 |
作者 | 芦鹏、刘国军 |
绘制单位 | 常州工学院光电工程学院、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |