《表1 准直前后的半导体激光器的光束参数对比》
单芯片半导体激光器发光区域纵向(快轴)接近衍射极限,横向(慢轴)在90μm~200μm之间,腔长在1mm至4mm不等。激光器横向发光角度能够达到15°~35°,纵向的光束发散一般为6°~15°,光束质量较差。通常使用微光学透镜对其进行整形提高光束质量。本文选用3组输出功率为12W,波长分别为915nm、940nm、976nm的半导体激光器,其发散角为30°(快轴)×8°(慢轴),有源区面积为1μm(快轴)×90μm(慢轴),腔长4000μm。选用LIMO公司的FAC-300型快轴准直透镜[6,7],其焦距EFLFAC=0.3mm,非球面系数-0.503,面型为椭圆,选用柱面镜作为慢轴准直镜,焦距EFLSAC=20mm。因为快轴准直镜装调会产生±0.5mrad的指向误差,所以设计时要计算在内。虽然使用不同波长的激光器,但由于不同波长光在透镜中折射率相近,所以以976nm激光器为例进行光束整形设计。表1为准直前后光束质量对比,图2(a)为光束准直结构图,(b)(c)分别为准直后输出远场光斑图。
图表编号 | XD007483800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.02.01 |
作者 | 刘力宁、高欣、张晓磊、徐雨萌、薄报学 |
绘制单位 | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室、长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
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