《表1 半导体激光器腔内倍频的输出参数（OO为光-光转换效率；EO为电-光转换效率）》

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《准相位匹配PPMgLN腔内倍频绿激光器研究进展》

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成熟的近红外半导体激光工艺与腔内倍频相结合的技术是产生绿色激光的一个有效途径，常见的半导体激光器有电抽运和光抽运两种（表1）。与全固态激光器相比，采用电抽运垂直外腔面发射半导体激光器（VECSEL）直接腔内倍频减少了LD抽运Nd∶YVO4激光晶体的过程，因此结构更紧凑，性能更稳定，适合大规模生产。2004年，美国Novalux公司采用电抽运GaAs-VECSEL产生了波长为1064nm的基频光，通过PPLN腔内倍频获得了30mW基横模单频532nm激光输出[6]；2009—2010年，英国Glamorgan大学报道了电抽运VECSEL腔内倍频534.7nm激光器，输出功率为1.31W，电效率为1.5%[7-8]，如图1所示；2014年，美国Princeton Optronics公司报道了电抽运InGaAs/GaAs多量子阱增益结构VECSEL腔内倍频531nm激光器[9]，采用耦合透镜调整基频光的光斑大小，采用布氏片提高偏振特性，采用法布里-珀罗（F-P）标准具压缩基频光的线宽，其输出功率可达到4.74 W，电-光转换效率为18.3%；2015年，Zhao等[10]通过优化外谐振腔的结构，增加有源区尺寸（由400μm增加到450μm），在不增加红外光光斑尺寸的条件下，获得了更高的基频光功率，即提高了基频光的光功率密度，电-光转换效率达到了21.2%；2011年，OSRAM公司提出了一种新的VECSEL芯片设计方案，即将外延层转移到硅载体上，在晶圆级上进行加工，从而显著降低热阻，提高最大输出功率[11]，功率为150mW，电-光转换效率为18%。