《表1 水含量对成品率的影响》

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《B_2O_3质量对VGF晶体生长工艺成晶率的影响》

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在试验中，通过不同水含量的B2O3进行晶体生长试验发现，使用水含量较高的B2O3时，其与pBN坩埚壁的浸润状态较好，但生成的晶锭表面有许多沟痕和麻坑。图2为使用水含量为1 000 mg/kg的B2O3所生长的晶锭的表面，此种状态不仅影响了所生产的单晶的质量，而且水含量较高时生成体单晶中的Si杂质浓度也会相应增加，影响炉次间产品参数的一致性；使用水含量为500 mg/kg的B2O3进行晶体生长，所得晶锭表面的麻坑基本消失，但在晶锭的肩到等径部的位置仍有许多沟道；使用水含量为100 mg/kg的B2O3，由于B2O3粘度较大，不能与pBN坩埚完全浸润，造成多晶料直接与坩埚壁接触，引起多晶或孪晶的产生，影响成品率的提高。通过多炉次试验，使用标称水含量为200 mg/kg的B2O3时晶体生长的成晶率比较稳定，而且高于其他几种规格。表1为各种水含量规格的B2O3多炉次试验统计情况。图3为使用水含量为200 mg/kg的B2O3所得的砷化镓晶锭。