《表2 本试验所得部分晶体参数》

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《B_2O_3质量对VGF晶体生长工艺成晶率的影响》

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目前红黄光LED用砷化镓单晶衬底均采用掺硅砷化镓材料，要求衬底的载流子浓度不小于4×107/cm3，在晶体生长时需要按实际投料量掺入一定量的高纯硅颗粒。在对B2O3使用量对成晶率影响的测试分析过程中发现，B2O3使用量的多少对生成单晶的载流子浓度高低影响比较大，通过对不同B2O3添加量晶体生长结果分析，认为B2O3是致使载流子浓度变化的主要因素。在投料量和掺硅量一定的情况下，当B2O3添加量大于50 g/炉时，载流子浓度降低非常明显；当B2O3添加量小于20 g/炉时，载流子浓度比较高，但在晶锭近尾端侧表面会出现许多小黑点，这是由于硅的添加量过大造成的，这种晶体尾端的缺陷密度比较高且迁移率较低。当B2O3添加量在20～50 g/炉时，所得晶体的载流子浓度均能达到5×107/cm3以上，且重复性较高。部分测试结果见表2。