《表1 SPI-VD3复合物的荧光猝灭常数及线性相关系数》

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根据Stern-Volmer方程,以[Q]为自变量、F0/F为因变量作图。VD3-SPI复合物的Ksv和Kq均可根据图中拟合的直线斜率计算,结果见表1。对于动态猝灭,温度升高会增加离子有效碰撞的数目,促进电子的转移,使荧光物质的猝灭常数增大;而对于静态猝灭,随着温度升高,荧光物质与小分子形成的复合物稳定性下降,使荧光物质的猝灭常数逐渐减小[16]。本实验选择293、298 K和306 K 3个温度,以确定猝灭常数随温度的变化趋势,进而确定VD3对SPI的猝灭类型。