《表2 架构A上二次蚀刻后的实际膜厚》

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图6为依照设计方案A进行PV2层二次蚀刻后的扫描式电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）实际形貌图，减薄后的PV层厚度可以在图中清楚地观察到，且各测量点的膜厚数值详细地列在表2中。由上述图表可知，利用半色调掩膜技术并透过ECCP模式的干蚀刻法，能确实地在原有PV2层上再蚀刻出PV3层。从图6还可以清楚地看出，PV3层的蚀刻深度可以被很好地控制在120nm左右，即残余厚度约在80nm。