《表1 用于缺陷研究的微凸块类型, 铜种子层蚀刻后的SEM倾斜视图》

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《针对20 μm及以下间距的微凸块工艺缺陷检测的研究方法》


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关于缺陷率和量测的研究采用了两种微凸块类型(如表1所示)。Imec的PTCO和PTCP封装测试芯片使用了间距为20μm的设计,最大封装密度为30%。