《表1 硅晶片技术指标：硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究》
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本实验采用硅晶片技术指标如表1所示。
| 图表编号 | XD00102688400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.10.20 |
| 作者 | 刘娜、常耀辉、吕菲、刘洋 |
| 绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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