《表7 镀金基体经200°C×48 h存储后的气体含量》
(%)
基体处理条件与2.3.1节相同,镀后不进行二次烘烤,降低储存温度到200°C,结果(见表7)氢含量明显下降,进一步说明温度对氢释放影响显著。
图表编号 | XD00100460900 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.09.15 |
作者 | 刘思栋、申忠科、敖冬飞、樊正亮 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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基体处理条件与2.3.1节相同,镀后不进行二次烘烤,降低储存温度到200°C,结果(见表7)氢含量明显下降,进一步说明温度对氢释放影响显著。
图表编号 | XD00100460900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.15 |
作者 | 刘思栋、申忠科、敖冬飞、樊正亮 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |