《硅化物及其在超大规模集成电路中的应用》
作者 | (美)穆拉尔卡(Murarka,S.P.)著;赵 英译 编者 |
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出版 | 天津:南开大学出版社 |
参考页数 | 192 |
出版时间 | 1987(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 7310000463 — 求助条款 |
PDF编号 | 89650418(仅供预览,未存储实际文件) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |

目录1
第一章 引言3
A、概论3
B、MOS器件——栅和内部互连线级的RC延迟和速度6
C、肖特基势垒器件16
D、接触金属化和接触电阻26
第二章 性质31
A、电阻率31
B、电阻率的温度依赖性46
C、晶体结构47
D、应力51
E、化学反应能力66
第三章 热力学考虑71
A、硅化物的形成热(△Hf)71
B、二元相图和金属间化合物的形成77
C、相互固溶性和扩散系数87
D、电迁移电阻96
A、金属间化合物的形成——动力学98
第四章 形成98
B、金属间化合物的形成——杂质的影响105
C、硅化物的形成——实验技术114
第五章 氧化129
A、概述129
B、实验结果131
C、氧化机理139
D、硅化物上氧化层的介质击穿141
A、刻蚀图案146
第六章 集成电路制造146
B、金属化150
C、硅化物的工艺稳定性151
第七章 特殊应用156
A、浅硅化物接触156
B、外延硅化物164
C、富硅的二硅化物167
D、数据库光学存储168
参考文献169
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