《半导体器件的核辐射加固》求取 ⇩
| 作者 | 包宗明，王儒全译 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京：原子能出版社 |
| 参考页数 | 397 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
| 出版时间 | 1985（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 15175·554 — 违规投诉 / 求助条款 |
| PDF编号 | 87465538（学习资料 勿作它用） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
辐射对半导体材料和器件性能的影响1
功率晶体管的中子加固保证35
超加固双极型晶体管的设计51
双极型晶体管的中子加固保证筛选法73
电离辐射引起的hFE退化与发射区周长的关系86
TTL集成电路的中子加固保证技术91
高速ECL微电路的辐射加固105
双极型集成注入逻辑电路的辐射效应118
集成电压调整器的辐射效应及其加固的分析132
应用于加固系统的运算放大器148
CMOS加固技术170
硅表面缺陷对MOS辐射敏感度的影响186
辐射加固的CMOS/SOS202
辐射加固的CMOS集成电路的工艺技术211
在静态MOS存贮单元中宇宙射线诱发的软错误227
关于几种商用NMOS微处理机的电离辐射效应242
电离辐射总剂量对1802微处理机的影向250
LSI/VLSI制备工艺的辐射加固263
电离辐射对电荷耦合器件结构的影响271
电荷耦合器件的辐射效应290
辐射加固的p表面沟道电荷耦合器件305
砷化镓金属半导体场效应晶体管的辐射效应316
辐射环境下GaAs MESFET的退化332
三元系化合物红外探测器的辐射试验342
氯化氢吸收、掺铬和铝注入对加固二氧化硅的影响361
三氧化二铝栅绝缘层中的电荷注入和俘获372
92k位磁泡存贮器系统的窄脉冲瞬态辐射效应389
1985《半导体器件的核辐射加固》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由包宗明，王儒全译 1985 北京：原子能出版社 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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