《表2 不同NH3/HSiCl3比例Si3N4的沉积速率[58]》

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《SiC_f/SiC复合材料氮化硼(BN)界面层及其复合界面层研究进展》

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在HSiCl3流量维持不变的情况下，随反应气中NH3流量增加，沉积速率先增大，后有小幅下降。在一定的流量范围内，在反应气流量不变的情况下，稀释气的比例增大，沉积速率增大。Benami等[57]以SiCl4-NH3为前驱体，SiCl4/H2的流量比维持在0.25，通过控制NH3的流量（0～75 sccm），可以沉积制得不同N/Si（0.54～0.79）比的SiNx。尹立峰等[58]以HSiCl3-NH3-N2为反应气体沉积制得Si3N4涂层，结果表明:Si3N4的沉积速率随着NH3/HSiCl3的增大而增大，当NH3/HSiCl3增大到4后，继续增大NH3，沉积速率呈稳定甚至略有下降的趋势，见表2。