《表2 不同电压下处理试样极化曲线的Icorr/Ecorr》

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《TC4表面等离子沉积Al_2O_3/MoS_2涂层及性能分析》

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在3.5 wt．%Na Cl溶液中测定的TC4基体和CPED涂层样品的极化曲线如图8所示，腐蚀电位（Ecorr）和腐蚀电流密度（icorr）列于表2，可以看到涂覆样品比基材具有更高的腐蚀电位。TC4基体的腐蚀电位为-0.103 4 V，脉冲电压为200 V制备的涂层没有完全涂层，腐蚀电位略有增高，为-0.034 9 V。在250 V、300 V和350 V下制备的涂层的腐蚀电位远高于前两者，分别为0.036 1 V、0.036 5 V和0.030 2 V，显示出极大的耐腐蚀性能。由于MoS2颗粒具有良好的导电性，Al2O3/MoS2复合涂层试样的腐蚀电流密度高于未覆涂层的TC4基体，但与基体贴合的陶瓷氧化物涂层将会在腐蚀环境下给基体提供良好的保护。