《表3 不同结温下键合电阻监测方案》

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《IGBT模块键合损伤机理、演化规律及状态监测》

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由于IGBT门极寄生电容的影响，密勒平台高度具有温敏特性，需要验证结温对键合电阻是否有影响，为此设计不同结温下键合电阻的监测试验，方案如表3所示，测试结果如图21所示。根据图21所示数据拟合计算键合电阻，结果如表4所示。