《表1 不同应用工况下3种器件结温对比》

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《基于SiC MOSFET的牵引逆变器在轨道交通中的应用研究》

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表1是不同应用工况下SiC MOSFET(2 000 Hz）与2种Si基IGBT器件（500 Hz）的静态虚拟结温对比。从表1数据可以看出，SiC MOSFET的结温随着电流增大而增大，且增速明显超过Si基IGBT器件，甚至在大电流下，其结温会高于后者。这是由于SiC MOSFET的损耗随电流增大而增大，另一方面则是由于其内部的结壳热阻非常大。