《表1 IPD和SIP技术所需要的区熔硅主要技术指标》
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近年来，IPD和SIP技术的广泛应用带动了高阻区熔硅材料市场的发展。目前，IPD和SIP技术所需要的区熔硅主要技术指标如表1所示。
| 图表编号 | XD0074420300 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.06.20 |
| 作者 | 吴华 |
| 绘制单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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