《表1 不同单级宽度和级联数目的测试结构》

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《不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响》

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射频开关结构设计最主要的是串联支路，晶体管的导通电阻主要影响射频开关的插入损耗；并联支路起辅助作用，提高隔离度的作用相当明显。射频开关传输的较高功率射频信号，需要在晶体管的栅极、体区增加直流偏置电阻，减小射频信号的泄漏。一般地，源漏之间也会增加直流偏置电阻，使级联的晶体管处于一致的偏置状态。为研究单级宽度和级联数目对串联支路和并联支路的影响，设计了相关测试结构，如表1所示。将单个串联支路和单个并联支路组合起来，形成单刀单掷电路结构。两者的栅极电压和体区电压采用互补的偏置。偏置电压条件如表2所示。单刀双掷结构是将两个单刀单掷结构组合起来，加载偏置电压状态类似。串联支路、并联支路、单刀单掷以及单刀双掷的电路结构如图1所示。