《表1 不同周期DBR结构反射率仿真模拟结果》

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《反射层对倒装LED芯片性能的影响》

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SiO2在440 nm波长处的折射率n1=1.480 6，TiO2在440 nm波长处的折射率n2=2.570 7。通过计算与模拟，可得SiO2每层的厚度为74.29 nm，而TiO2每层的厚度则为42.79 nm。交替周期与反射率的模拟结果见表1。