《表3 发射极厚度及多晶注入能量分片方案》

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《高频双极晶体管工艺特性研究》

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如前所述，在固定的发射极窗口尺寸前提下，最关键的即为发射极多晶硅厚度与发射极多晶注入条件的匹配。笔者试制的器件，发射极窗口尺寸为0.6μm，按如表3所示的方案试制了器件。