《表1 磷元素在硅中的注入能量和深度对照表以及所需的安全光阻厚度》

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《高深宽比光阻层对1.0μm像素性能影响研究》

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为提升PD的满阱电荷容量，我们通常要使PD的最大注入深度达到2.5μm以上，工艺上需要采用多步离子注入工艺完成像素PD区域的N型离子（Phosphorus）注入。如表1所示，要达到目标注入深度（>2.5μm），磷元素的最大注入能量要达到2Me V以上，对应的安全光阻厚度要大于3.6μm。通常对于1.0μm的像素结构，PD的开口尺寸为0.5～0.65μm，这代表在光刻工艺时，光刻胶的深宽比达到7:1以上，在这种情况下，光刻胶的形貌对离子注入工艺影响非常大。我们基于1.0μm的像素尺寸，采用了2种不同类型的光刻胶，通过优化得到不同的光刻胶形貌，对比了2种不同光刻胶对像素注入工艺以及像素电学参数的影响。