《表1 注入到晶体管和电路中的不同能量和线性能量转移的粒子》

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《体偏置对SOI CMOS器件单粒子瞬态特性的影响》

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实验中采用了从碳到铜5种不同的重粒子，分别对NMOS器件、PMOS器件、CMOS反相器及3级CMOS反相器链进行扫描，注入到晶体管和电路中。不同的重粒子具有不同能量和不同的LET值，其能量和线性能量转移等数据如表1所示。其中，注入离子的能量范围为80~161MeV，而LET的能量范围为1.73~33.40MeV.CM2/Mg。