《表1 多晶扭曲生长样品的电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)成分分析结果》

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《"Gd_3(Al,Ga)_5O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究"》

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基于相图的分析，首先采用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）表征多晶扭曲生长GAGG:Ce晶体的成分以初步验证组分挥发对晶体成分的影响，如表1所示。根据检测数据计算得到Gd-Al-Ga元素对应的离子数比，从表中可以看出，样品中测得Ga的实际浓度明显低于熔体（理论值），而Al的实际浓度高于理论值。据挥发物与相图分析结果可知，Ga2O3的挥发分解致使晶体成分中Ga的浓度降低；而晶体中Al含量出现差异的原因初步推测为熔体组成偏离致使Gd（Al，Ga）O3（GAGP）杂相析出，且相同摩尔数GAGP中的Al含量高于GAGG，进而导致其高于理论值。