《表2 晶体头、尾部样品的电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)成分分析数据》
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《"Gd_3(Al,Ga)_5O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究"》
由于晶体生长所用原料纯度均为99.99%，可以排除杂质因素导致晶体组分偏析。采用电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）表征晶体头、尾部的成分差异，结果如表2所示。从表中可以看出，晶体头部Ga的实际浓度低于理论值；晶体尾部的成分与理论值一致，可以推测晶体头部偏离组分而尾部为石榴石结构。
| 图表编号 | XD00211804400 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2021.02.01 |
| 作者 | 孟猛、祁强、丁栋舟、赫崇君、赵书文、万博、陈露、施俊杰、任国浩 |
| 绘制单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所、南京航空航天大学工业和信息化部重点实验室空间光电探测与感知实验室、南京航空航天大学航天学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、上海理工大学材料科学与工程学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新研究院、南京航空航天大学工业和信息化部重点实验室空间光电探测与感知实验室、南京航空航天大学航天学院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新研究院、中国科学院上海硅酸盐研究所、中国科学院海西创新 |
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