《表1 UH-SnO2和U-SnO2的Nyquist图的拟合参数》

《表1 UH-SnO2和U-SnO2的Nyquist图的拟合参数》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《无定形碳包覆锡基负极材料的制备及其电化学性能》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

为了探究无定形碳对提高SnO2材料导电性的作用,采用电化学阻抗方法测试分析了两个样品。图6为两个样品的交流阻抗图谱以及用于拟合图谱的等效电路图,测试前,UH-SnO2和U-SnO2样品,在电流密度200 mA/g下充放电循环一圈。电化学阻抗图谱包含两个变形的半圆和一条倾斜的直线。高频区半圆对应的是界面电阻(Rf),中频区半圆对应的是电荷转移电阻(Rct),低频区的斜线对应于离子在材料内扩散时的Warburg阻抗,Rs是电解质阻抗。根据表1的拟合数据,两个材料具有相近的电解质电阻,UH-SnO2比U-SnO2样品具有更低的Rf和Rct。比如UH-SnO2和U-SnO2样品的Rf分别为47.4Ω和64.9Ω,两个样品的Rct分别为27.4Ω和79.0Ω。进一步说明UH-SnO2样品中SnO2材料均匀分散在无定形碳材料里,更加有利于提高材料的导电性,从而能够提高材料的电化学性能。