《表2 电荷布局分析：La、Bi共掺杂Ag/SnO_2触头材料导电性能的理论分析》

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《La、Bi共掺杂Ag/SnO_2触头材料导电性能的理论分析》

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本研究对本征SnO2，La、Bi单掺杂和共掺杂体系进行了电荷布局分析，如表2所示，对于本征SnO2，Sn原子与O原子的电荷布局数分别为1.90e和-0.95e，表明Sn带正电荷以失电子为主，O带负电荷以得电子为主，因此Sn与O之间以离子键为主。