《表1 晶胞参数：Y-W掺杂AgSnO_2触头材料电性能理论研究》

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《Y-W掺杂AgSnO_2触头材料电性能理论研究》

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本征SnO2、Y、W单掺杂SnO2、Y-W共掺杂SnO2晶胞参数如表1所示。掺杂之后晶格常数以及晶胞体积都有所增大，因为元素Y的原子半径大于元素Sn（元素Sn原子半径为158pm，元素Y原子半径为180pm，元素W原子半径为141pm）。晶格常数增大会影响最外层电子，使原子核对外层电子势场减弱，有利于带隙减小。元素W掺杂后晶格体积增大，是因为掺杂后O原子周围键长发生改变，改变本征SnO2的原子排列，晶胞发生畸变。元素Y、W同时掺杂时，新生成的Y—O键与W—O键改变了原有的成键状态，体积膨胀。