《表3 键布局及键长：Y-W掺杂AgSnO_2触头材料电性能理论研究》

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《Y-W掺杂AgSnO_2触头材料电性能理论研究》

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表3为本征SnO2与掺杂后的SnO2键布局。由表3可知，掺杂元素后的SnO2材料相比于Sn—O键布局减小，共掺元素Y、W后电荷重叠数最小，说明通过同时掺杂元素Y、W后，改变成键特性，共价键减弱。掺杂后，键长都有所改变，主要因为改变成键方式，新生成了Y—O、W—O键，新生成的键长由于成键特性的改变以及离子半径的影响相对于本征SnO2有所改变。