《表1 优化后的晶胞参数》

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《La、Bi共掺杂Ag/SnO_2触头材料导电性能的理论分析》

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本征SnO2、La单掺杂SnO2、Bi单掺杂SnO2及La、Bi共掺杂SnO2晶胞进行几何优化后得到的晶胞参数如表1所示。由表1可知，优化后的晶胞参数与实验结果相比误差很小，说明此优化结果有效，用于计算所构造的结构和方法是合理的。由表中数据可以看出，La、Bi共掺杂后晶格常数增大，同时共掺杂后晶胞的体积也增大，这是因为La+3离子半径为0.106nm，Bi+3离子半径为0.096nm，均大于Sn+4的离子半径（0.069nm[17]），所以La、Bi替换Sn后优化晶胞的体积增大，但小于两个La单掺杂的晶胞体积（La的离子半径最大）。计算结果符合理论依据。