《表1 几何优化后氧化铜晶胞参数与实验值》

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《单轴应变对CuO光吸收谱影响的密度泛函理论研究》

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从无机晶体结构数据库ICSD查询软件FindIt2011中查询单斜氧化铜的晶体学参数，采用CASTEP模块建立了单斜氧化铜模型，如图1所示。首先对晶格进行几何优化，计算参数设置如下:Functional采用GGA-PBE，精度（quality）为Ultra-fine，能量（energy）为5.0×10-6 eV/atom；最大压强（max force）为0.01 eV/A；最大应力（max stress）为0.02GPa；最大位移（max displacement）为5.0×10-4A；最大迭代次数（Max.iterations）100次；截断能（Energy cutoff）为440eV；FFT grid中Density设置为32×24×36；SCF tolerance设置为5.0×10-7 eV/atom。其余默认设置。经过几何优化后得到了能量最低时单斜氧化铜的晶胞参数。如表1所示，表中给出了本文计算的晶胞参数与实验得到的晶胞参数[16-17]。本文的计算结果与实验值符合很好。