《表3 试验结果分表：多晶硅生产中硅芯氧化问题探究》
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3) 在击穿后将硅芯电流控制30A即温度控制在900℃以下有利于控制硅芯氧化，但电流不能再低，电流再低有硅芯熄灭的风险。
| 图表编号 | XD0045693400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.02.01 |
| 作者 | 宋张佐、刘阳赞、蔡永明、周万礼 |
| 绘制单位 | 云南能投化工有限责任公司、云南能投化工有限责任公司、云南能投化工有限责任公司、云南能投化工有限责任公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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