《表2 试验安排及试验结果》

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《多晶硅生产中硅芯氧化问题探究》

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通过分析，形成硅芯氧化的主要原因是炉内会残留氧气和水分及体系温度的控制。进一步延伸，氧分和水分残留主要是置换效果不达标。为抑制硅芯氧化，重点在于控制击穿后的硅芯温度和置换后的氧元素含量。针对爆破式氮气置换次数、泄压终点压力、击穿后通过硅芯的电流三个不交互作用主要因素开展正交试验。因素水平表见表1，试验安排及试验结果见表2。综合评分依据是产品中硅芯成色:硅芯是本色表明硅芯没有氧化，若颜色由亮变暗说明被氧化，评分降低。另外，造成系统中残留氧分还有其他次要因素，如还原尾气反串、空气温湿度等，在正交试验中，选取的因素必须可以认为控制，不可控的因素可列为观察项。水平的确立应考虑实际工作情况。根据生产我们将击穿后的最低电流设定为30A。置换方式采取爆破式，根据理论要求置换氮中氧含量满足<0.1%的前提下，反算最高泄压终点压力。