《表1 与部分文献中设计的功放参数对比》
目前国内外对GaN HEMT功率放大器的研究有很多,其参数对比见表1,可以看出,与现有的GaN HEMT功率放大器设计相比,本文设计的功率放大器在输出功率较高的同时,也具有较高的能效,同时,应用的频段也属于S波段中比较高的频段。
图表编号 | XD0030633700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.01.06 |
作者 | 张书源、钟世昌 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
目前国内外对GaN HEMT功率放大器的研究有很多,其参数对比见表1,可以看出,与现有的GaN HEMT功率放大器设计相比,本文设计的功率放大器在输出功率较高的同时,也具有较高的能效,同时,应用的频段也属于S波段中比较高的频段。
图表编号 | XD0030633700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.06 |
作者 | 张书源、钟世昌 |
绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |