《表1 部分参考文献研制的真空计参数对比Tab.1 Information of the vacuum gauges cited in the references》

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《MEMS型电容薄膜真空计的关键技术研究进展》

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注:S-G:硅-玻璃阳极键合S-S:硅硅直接键合SON:silicon on nothing

到目前为止，由于制作成本高、成品率低的原因，MEMS电容薄膜真空计只用于一些特殊的深空探测型号任务、科学研发以及军事用途，尚未广泛的市场化发展。文中部分参考文献研制的真空计参数对比如表1所示，对比可知，目前报道的MEMS电容薄膜真空计主要存在测范围窄、灵敏度低的问题。未来MEMS电容薄膜真空计的发展方向为: