《表7 TEOS去除速率方差分析表》
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《基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化》
采用极差分析法对正交实验结果进行分析。结果表明,各个因素对Cu去除速率影响的主次关系是:C>A>B>D,最佳的实验组合方案是A3B3C3D1;各个因素对Ta去除速率影响的主次关系是:A>B>C>D,最佳的实验组合方案是A3B2C2D3;各个因素对TEOS去除速率影响的主次关系是:A>D>B>C,最佳的实验组合方案是A3B1C2D3。三种材料去除速率的最佳水平组合并不一致,其中磨料质量分数A对三种材料去除速率的影响是一致的。为了综合三种材料去除速率的水平组合,需要对每个因素对三种材料去除速率的影响进行方差分析(ANOVA)。方差分析时,根据实验结果,找出有显著作用的因素,以及找出在怎样的因素水平下使指标最优以达到优质和高产的目的[17]。表5、表6和表7为三种材料去除速率的方差分析表,表中F是显著性差异的水平,P是检验水平。
图表编号 | XD0028231900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.15 |
作者 | 徐奕、刘玉岭、王辰伟、马腾达 |
绘制单位 | 河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、天津市电子材料与器件重点实验室 |
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