《表1 不同Ne注入速率下靶板与真空壁溅射与泄露情况》

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《氖杂质注入条件下CFETR芯部钨杂质浓度的模拟研究》

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基于SOLPS给出的背景等离子体以及靶板和壁钨杂质溅射的初始分布，进一步通过DIVIMP模拟了钨杂质的输运。对仅钨靶板以及全钨壁两种情况模拟得到的芯部钨杂质浓度如图4所示。可以看到，最差的情况出现在Ne注入速率0.7×1021 s-1时。由表1可以看到，该条件下靶板和壁的总溅射通量和泄露率都较大。对于溅射的分析如前所述，这里需要指出的是，由于靶板温度较高，自溅射会导致靶板总溅射通量显著增加。同时由于较高的温度会导致由于Ne溅射和自溅射产生的钨杂质的初速度较高，使其更容易穿透至等离子体中较深的位置才发生电离，从而使泄露率提高。当充入Ne杂质的速率进一步提高，偏滤器处于脱靶运行状态，钨的溅射通量下降；同时靶板附近的等离子体密度提升，导致对钨的屏蔽效果进一步提升[16]，对于仅钨靶板的情况，芯部钨杂质浓度逐渐下降至10-5以下。