《表1 不同浓度S2-介质中J55电化学腐蚀等效电路模拟结果》
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《J55在含S~(2-)与Cl~-环境下的电化学腐蚀行为研究》
电路模拟结果见表1,溶液电阻R1、电荷转移电阻R2和钝化膜电阻R3随着S2-浓度的增大而明显减小;说明当溶液中的S2-浓度逐渐变大时,钝化膜逐渐发生溶解并变薄,金属溶解为阳离子形态并向溶液中扩散,直接表现为溶液电阻和电荷转移电阻降低,进而促进金属腐蚀的阳极反应,腐蚀加重。电极表面由于不均匀结构而存在一定程度的弥散效应,因此拟合电路通常使用常相位角原件CPE来代替电容。双电层常相位角原件CPE1-P>0.80,表明腐蚀产物覆盖较为平整,主要表现为电容性质。对比CPE1-P和CPE2-P可以看出,随着S2-浓度的变大,CPEn-P(n=1,2)先变小后变大,同时CPE2-P略小于CPE1-P,表明随着S2-浓度的增大,腐蚀产物膜逐渐被破坏,S2-含量的增加会导致J55表面生成的钝化膜致密度进一步下降,膜对金属基体的保护作用下降,因而电层电容CPE1-T和腐蚀产物膜电容CPE2-T整体减小。另外,Warburg阻抗W1-R逐渐减小,但在不同S2-浓度下,Warburg阻抗的电阻值仍比R1、R2和R3的数值都大,说明腐蚀过程主要由扩散过程控制,随着S2-浓度的增大,逐渐转变为扩散过程和电化学极化过程共同控制。
图表编号 | XD0025031200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | |
作者 | 张旭昀、王文泉、汪洋、王波、郑冰洁、康庆鑫、王勇 |
绘制单位 | 黑龙江省石油石化多相介质处理及污染防治重点实验室 |
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