《表1 不同浓度S2-介质中J55电化学腐蚀等效电路模拟结果》

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《J55在含S~(2-)与Cl~-环境下的电化学腐蚀行为研究》

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电路模拟结果见表1，溶液电阻R1、电荷转移电阻R2和钝化膜电阻R3随着S2-浓度的增大而明显减小；说明当溶液中的S2-浓度逐渐变大时，钝化膜逐渐发生溶解并变薄，金属溶解为阳离子形态并向溶液中扩散，直接表现为溶液电阻和电荷转移电阻降低，进而促进金属腐蚀的阳极反应，腐蚀加重。电极表面由于不均匀结构而存在一定程度的弥散效应，因此拟合电路通常使用常相位角原件CPE来代替电容。双电层常相位角原件CPE1-P>0.80，表明腐蚀产物覆盖较为平整，主要表现为电容性质。对比CPE1-P和CPE2-P可以看出，随着S2-浓度的变大，CPEn-P（n=1，2）先变小后变大，同时CPE2-P略小于CPE1-P，表明随着S2-浓度的增大，腐蚀产物膜逐渐被破坏，S2-含量的增加会导致J55表面生成的钝化膜致密度进一步下降，膜对金属基体的保护作用下降，因而电层电容CPE1-T和腐蚀产物膜电容CPE2-T整体减小。另外，Warburg阻抗W1-R逐渐减小，但在不同S2-浓度下，Warburg阻抗的电阻值仍比R1、R2和R3的数值都大，说明腐蚀过程主要由扩散过程控制，随着S2-浓度的增大，逐渐转变为扩散过程和电化学极化过程共同控制。