《表2 不同浓度Cl-介质 (含0.15mol/L Na2S) 中J55电化学腐蚀等效电路模拟结果》

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《J55在含S~(2-)与Cl~-环境下的电化学腐蚀行为研究》

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电路模拟结果见表2，可以看出J55的腐蚀速率由R2控制。随着Cl-浓度的增大，J55的电化学腐蚀行为与在只含S2-介质中的情况基本相似，但对比腐蚀介质中加入Cl-前后的常相位角原件变化可以看出，加入Cl-后CPEn-P（n=1，2）的值接近1，可近似认为是理想的纯电容元件，但容抗弧半径明显减小。另外，与腐蚀介质只含0.15mol/L S2-的情况相比，此时电荷转移电阻R1降低，说明钝化膜对基体的保护作用下降，即Cl-的存在使J55表面膜的稳定性进一步下降。但随着Cl-浓度的增大，电荷转移电阻R2变小，氧化膜电阻R3明显降低，说明Cl-的加入影响了产物膜的结构和性质，因而电化学极化成为控制最终腐蚀速率与破坏形状的主要因素，即S2-的存在会对Cl-腐蚀J55有一定程度的缓蚀作用。这可能是由于S2-在钢表面与Fe2+生成了硫化亚铁腐蚀产物，在腐蚀膜疏松时，硫化铁为阴极，与钢表面构成电偶，促使钢表面继续被腐蚀，而致密时则抑制腐蚀反应的进行[13]。