《表1 不同采样阶段损耗误差对比Tab.1 Loss contrast diagram of different sampling stages》

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《基于碳化硅MOSFET三相逆变电路损耗新算法》


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考虑到新算法的损耗误差在不同阶段的差异性，以正向导通阶段的MOSFET导通损耗为例，由图7~图12可以得出导通损耗在不同采样点范围内误差也有所不同，表1所示为正向导通过程中不同采样阶段损耗误差对比.

图表编号XD0023916300    严禁用于非法目的
绘制时间2018.02.01
作者王逸凡、迟颂、李雪、杨海靖
绘制单位河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室、河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室、河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室、河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室
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