《表1 不同电流下两电平与三电平逆变器总损耗比较Tab.1 Power loss comparison between 2-level and3-level inverters with differ

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《使用SiC开关的两电平和三电平逆变器损耗与效率分析》

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表3给出了三电平损耗、效率与负载阻抗角φ的关系，其中，开关频率为100 k Hz，调制度h为0.5，电流有效值为30 A，负载阻抗角φ从-150°变化到180°。可以看到:三电平损耗和效率是关于0°对称的，且随着cosφ的减小，它的总损耗增大、效率降低；而且，二极管通态损耗随功率因数的减小而增大，MOSFET的通态损耗随功率因数的减小而减小。表4给出了三电平损耗与调制度之间的关系，其中，开关频率为100 k Hz，电流有效值为30 A，负载阻抗角为25°，调制度h从0.1变化到0.8（在此不讨论过调制的情况）。从表4可以看出，三电平总损耗随着调制度的增大而增大（开关损耗不随调制度变化而改变），而二极管的通态损耗随调制度增大而减小，MOSFET的通态损耗随调制度增大而增大。两电平与三电平的逆变器损耗类似，在此不作赘述。